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贞光科技获悉,车规级SiC功率模块封装与应用技术论坛即将召开
摘要:
车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉,目前很多模块封装机构仍沿用Si 基模块的封装结构和工艺,难以实现SiC MOSFET的优越性能,封装技术已成为阻碍SiC功率模块在电控上应用的一个主要瓶颈
车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉,目前很多模块封装机构仍沿用Si 基模块的封装结构和工艺,难以实现SiC MOSFET的优越性能,封装技术已成为阻碍SiC功率模块在电控上应用的一个主要瓶颈。什么是先进的SiC功率模块封装,如何提高封装的散热效能、可靠性及降低杂散电感参数,以及如何优化封装成本,这些都是行业最为关切的问题。
为此,中国汽车工程学会将在8月8-9日在青岛举办车规级SiC功率模块封装与应用技术论坛,邀请中国科学院电工所、上汽捷能、Yole Développement、纬湃科技、博格华纳、法雷奥、博世、英飞凌、丹佛斯、中车时代半导体等单位的高层技术专家,分享最新的SiC功率模块封装及应用技术趋势与创新技术:
- 应用SiC模块的电控系统开发及发展战略
- 全球SiC模块关键封装技术刨析及趋势
- SiC模块封装设计方法
- AMB复合基板,银/铜烧结,铜引线/铜板键合,高温树脂塑封技术分析
- 以基板取代引线键合的新一代功率模块
- 英飞凌新一代SiC主驱逆变器解决方案:SiC的创新点及创新的封装形式等
- 杂散电感2.8 nH,芯片之间最大温差为10k的车规级SiC功率模块封装技术
- SiC模块密度提升带来的散热与可靠性问题解决方案
- SiC逆变器应用效率提升技术
- 车载GaN和SiC集成功率模块的第四代充电机技术
演讲之后还将组织一场高层互动论坛,探讨什么是梦想中的车规级SiC功率模块封装技术。
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