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贞光科技获悉,因需求强劲 旺宏冲刺高容量NOR Flash


摘要:

车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉,旺宏董事长吴敏求表示,将持续强化3D NAND及高容量NOR Flash布局,看好5G基地台、医疗设备、车用电子等市场对高容量NOR Flash强劲需求,旺宏在2Gb及4Gb先进NOR Flash技术已抢得先机将在明年陆续推出,至于48层3D NAND明年初将可贡献营收,将朝向192层堆叠技术的目标冲刺。

 

贞光科技获悉,因需求强劲 旺宏冲刺高容量NOR Flash

 

车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉,旺宏董事长吴敏求表示,将持续强化3D NAND及高容量NOR Flash布局,看好5G基地台、医疗设备、车用电子等市场对高容量NOR Flash强劲需求,旺宏在2Gb及4Gb先进NOR Flash技术已抢得先机将在明年陆续推出,至于48层3D NAND明年初将可贡献营收,将朝向192层堆叠技术的目标冲刺。

 

吴敏求指出,新冠肺炎疫情蔓延全球,使远距商机及宅经济发酵,带动了伺服器、5G基地台、医疗设备等市场对于高容量NOR Flash的需求。旺宏透过长期的深耕与布局,在高容量及高品质的应用领域已取得领先的成果。

 

旺宏NOR Flash朝向45奈米制程推进,256Mb以上高容量NOR Flash营收比重逐年增加。吴敏求表示,旺宏看好车用、工业、医疗、5G等应用领域成长动能,其中旺宏投入2Gb及4Gb高容量Advanced NOR Flash技术研发,品质稳定性比现在好上十倍,容量更高但具成本竞争力,明年推出后在高容量及高品质NOR Flash市场将可唯我独尊。

 

在NAND Flash方面,旺宏19奈米SLC NAND产品良率极佳,新产品及新应用陆续进入验证阶段,至于3D NAND已完成第一阶段48层产品开发,量产后将可在明年初开始逐步贡献营收,后续将朝向96层及192层堆叠技术的目标冲刺。

 

旺宏已决定启动扩产计画,投入415亿元扩建Fab 5B厂的3D NAND产能,预计192层3D NAND在2023年进入量产。吴敏求表示,旺宏48层3D NAND及接下来的96层3D NAND会先在利基型应用上先推出,等产能及技术就绪再向192层发展。

 

吴敏求说明,旺宏的3D NAND投资以每四年为一个基期,现在扩大资本支出将Fab 5B厂务做好,晶圆厂基础设施的折旧年限是20~30年,所以每年折旧水准很低,旺宏在自有12吋厂中同步进行产品研发,新产品完成后再以此当成设备产能投资标准,产能建好立即满载投片,会把折旧跟产出时间衔接好,不是先巨额投资再等产品开发投产。

 

相关内容:贞光科技被业内称为车规及工业元器件金牌供应商,为客户提供车规电容、车规电阻、车规晶振、车规电感、车规连接器等车规级产品和行业解决方案,成立于1998年的贞光科技是三星、国巨、爱普生、AVX、奇力新、风华高科、京瓷、泰科等海内外三十多个原厂的授权代理。

 

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