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贞光科技消息,三星宣布3nm晶片成功下线,规模化量产时间临近

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贞光科技消息,三星宣布3nm晶片成功下线,规模化量产时间临近

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【摘要】:
贞光科技据外媒报导消息,三星宣布他们的3nm制程技术已经正式下线(Tape-out)。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。

贞光科技据外媒报导消息,三星宣布他们的3nm制程技术已经正式下线(Tape-out)。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。

 

 

三星在3nm制程的下线进度是与新思科技(Synopsys)合作完成的,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔采用的FinFET的架构,而是采用GAA的结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

 

技术性能上,GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下,GAA的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

 

三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim 表示,三星电子最新且先进的3nm GAA 制程技术,受惠于与新思科技合作,Fusion Design Platform 加速准备,有效达成3nm制程技术承诺,证明关键联盟的重要性和优点。

 

 

此次下线是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。先前,三星曾在2020年完成3nm的开发,但开发成功并不意味着产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功下线,三星3nm晶片大规模量产的时间点已经正式临近。

 

先进制程一直是台积电、三星以及英特尔重要的角力战场。随着三星3nm采用GAA打算弯道超车,台积电则在3nm制程上仍持续采用FinFET架构, 在已知的技术基础上可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。贞光科技