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5G、AI、IoT需求爆发 台积电扩大特殊制程布局

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5G、AI、IoT需求爆发 台积电扩大特殊制程布局

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【摘要】:
贞光科技获知,为了抢攻5G、AI、IoT的庞大晶片市场大饼,台积电除加快先进制程技术研发及产能布建,也同步扩大成熟及特殊制程布局。台积电特殊技术业务开发资深处长刘信生在技术论坛指出,台积电致力为广泛的应用提供同级最佳的特殊制程技术,包括射频(RF)及连网、CMOS影像感测、电源管理技术等。台积电提供技术的客制化服务,为客户创造独特的差异性,并拥有完善的智慧财产权保护系统。

 

全球新冠肺炎疫情加速了数字化脚步,对所有产业皆造成冲击,但也加速与数字化转型相关的投资激增,5G通讯、人工智慧(AI)、物联网(IoT)等需求爆发,晶圆代工龙头台积电总裁魏哲家在技术论坛上指出,即使在新冠肺炎疫情后,这类投资仍将持续,从而创造数位全球经济。

贞光科技获知,为了抢攻5G、AI、IoT的庞大晶片市场大饼,台积电除加快先进制程技术研发及产能布建,也同步扩大成熟及特殊制程布局。台积电特殊技术业务开发资深处长刘信生在技术论坛指出,台积电致力为广泛的应用提供同级最佳的特殊制程技术,包括射频(RF)及连网、CMOS影像感测、电源管理技术等。台积电提供技术的客制化服务,为客户创造独特的差异性,并拥有完善的智慧财产权保护系统。

台积电支援IoT和AI边缘运算装置推出超低功耗技术,12纳米N12e制程将晶片工作电压(VDD)降低到0.4V,实现了新等级AI应用及极低电压、低功耗的产品设计。台积电指出已达到显著减少漏电,以实现最低待机功耗。相较于28纳米模组,N12e制程的待机漏电减少八倍,保留漏电则减少五倍。

再者,台积电针对先进的5G与连网RF技术,于2021年3月发布了6纳米N6RF制程的流程设计套件,为5G行动网路和WiFi 7应用提供卓越的RF功能和运算效率。相较于上一代16纳米技术,新推出的N6RF技术效能提高20%,功耗与面积减少40%。至于28奈米在毫米波RF应用方面也有增强,功耗效率提高20%。

贞光科技获悉,在微控制器(MCU)及嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)特殊制程部分,台积电最先进的非挥发性记忆体技术已进展到28纳米,并已通过Grade-1验证,支援汽车应用。 Grade-0代表产品可承受高达摄氏150度的温度,预计于今年第三季通过验证。台积电亦推出40纳米和22纳米电阻式随机存取记忆体(RRAM)技术已进入生产,22纳米磁性随机存取记忆体(22MRAM)已经开始生产。